Çip-Yeni Nesil-Samsung:

1--Samsung, piyasada mevcut en yüksek veri aktarım hızına sahip beşinci nesil V-NAND bellek çiplerinin seri üretimine geçtiğini duyurdu. Sektörde Toggle DDR4.0 arayüzünün ilk kez kullanıldığı Samsung’un yeni 256 Gigabit V-NAND çipi, depolama cihazı ile bellek modülleri arasındaki veri aktarımının hızını 64-kat- manlı öncüllerine göre %40 artırarak 1.4 Gbps değerine ulaştırıyor.

2--Samsung’un beşinci nesil V-NAND çipinin içinde paketlenmiş olan 3D Şarj Hücrelerine ait (CTF) 90’dan fazla katman (sektördeki en yüksek rakam) dikey mikroskopik kanallar ile piramit şeklinde yerleştirildi.

2.1--Yalnızca birkaç yüz nanometre genişliğindeki bu kanal deliklerinde, her biri üç bit veri saklayabilen 85 milyar CTF hücresi bulunuyor.

2.2—Bu yüksek teknolojili bellek üretimi gelişmiş devre tasarımları ve yeni işlem teknolojileri gibi çığır açan bir dizi gelişmenin sonucunda mümkün hale geldi.

3--V-NAND’in atomik katmanlı kaplama sürecindeki gelişmeler sayesinde üretim verimliliğinde %30’un üzerinde artış sağlandı. Yeni tekniklerle her bir hücre katmanının yüksekliği %20 oranında azalırken hücreler arasındaki parazitler ortadan kalktı ve çipin veri işleme verimliliği arttı.